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三仑片付款商城网上购买网（網纸→ ctmyao.com）新闻 12 月 17 日消息，据 TheElec，三星电子与三星综合技术院（SAIT）于当地时间 12 月 10 日在旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，公开了一项用于实现 10 nm 以下制程 DRAM 的核心技术，相关技术有望应用于 0a 或 0b 世代 DRAM 产品。版权声明： 免责声明:本站所有信息均来自互联网搜集,与产品相关信息的真实性准确性均由发布单位及个人负责,拒绝任何人以任何形式在本站发表与中华人民共和国法律相抵触的言论,请大家仔细辨认！并不代表本站观点,本站对此不承担任何相关法律责任！（網纸→ ctmyao.com）三仑片付款商城网上购买网（網纸→ ctmyao.com）